改善微笑效应的浅沟渠隔离结构的制造方法

摘要

本发明提供一种改善微笑效应的浅沟渠隔离结构的制造方法，其在一基底表面沉积一氧化层与氮化硅层后，利用蚀刻技术形成浅沟渠，再在浅沟渠与基底表面中沉积一薄多晶硅层，接着进行氧化步骤，以在浅沟渠表面形成衬氧化层，同时并将该薄多晶硅层转变为氧化硅层，最后在该基底表面形成一氧化物层以形成浅沟渠隔离结构，以确保浮动栅极与栅氧化层与门氧化层与基底间的耦合面积，改善内存中常见的微笑效应与漏电的发生，使得当组件尺寸日渐缩小的要求下，仍可保持元件的特性，并提升产品的成品率。

主权项

1、一种改善微笑效应的浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一基底，其上依序沉积一氧化层与氮化硅层；再于该基底表面形成一图案化光刻层；以该图案化光刻层为光刻，蚀刻该氮化硅层、氧化层与基底，以形成浅沟渠，而后去除该光刻层；在该基底与该浅沟渠表面形成一薄多晶硅层；再在该薄多晶硅层表面形成一衬氧化层；及在该基底表面形成一氧化物层，使其填满该浅沟渠，并去除该基底表面多余的该氧化物层、氮化硅层与氧化层，以形成浅沟渠隔离结构。