| 发明名称 | 具有适当读出计时的半导体存储器器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体存储器器件，包括：存储器单元；信号线，其上有可响应于从所述存储器单元读取的数据的电势；电势检测电路，其响应于检测到所述信号线上的电势超过预定电势，而输出检测信号；和读出放大器，其响应于所述检测信号而放大所述信号线上的电势。 | ||
| 申请公布号 | CN1610002A | 申请公布日期 | 2005.04.27 |
| 申请号 | CN200410006056.4 | 申请日期 | 2004.02.27 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 福士功;川岛将一郎 |
| 分类号 | G11C11/22;H01L27/10 | 主分类号 | G11C11/22 |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 赵淑萍 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器器件，包括：存储器单元；信号线，其上有可响应于从所述存储器单元读取的数据的电势；电势检测电路，其响应于检测到所述信号线上的所述电势超过预定电势，而输出检测信号；和读出放大器，其响应于所述检测信号而放大所述信号线上的所述电势。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||