| 发明名称 | 在铜CMP中采用不包含氧化剂的抛光流体的第二步骤抛光方法 | ||
| 摘要 | 在铜CMP中用于第二步骤屏蔽物脱除抛光的抛光流体，该抛光流体不包含氧化剂、包含有机酸、磨粒，和非必要地铜缓蚀剂，其显示出屏蔽物对金属和屏蔽物对绝缘层的高选择性。 | ||
| 申请公布号 | CN1610072A | 申请公布日期 | 2005.04.27 |
| 申请号 | CN200410087078.8 | 申请日期 | 2004.10.22 |
| 申请人 | CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司 | 发明人 | 卞锦儒 |
| 分类号 | H01L21/304;H01L21/321;C09K3/14;C09G1/02;B24B1/00;B24B7/22;B24B37/00 | 主分类号 | H01L21/304 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 邓毅 |
| 主权项 | 1.一种通过采用抛光垫和抛光流体的抛光而脱除半导体晶片上阻挡膜的方法，该抛光流体在水溶液中于碱性pH下，包括0.1％-5wt％的磨料粒子和0.5-10wt％的有机酸或其混合物，而不加入氧化剂。 | ||
| 地址 | 美国特拉华 | ||