| 发明名称 | 用于形成具有改进角部圆角化的浅槽隔离结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种于半导体制造期间执行浅槽隔离以改善沟槽的角部圆角化的方法。本方法包括蚀刻沟槽(34)进入作用区(30)之间的硅基板(24)，并在该沟槽(34)上执行双重衬底氧化工艺。本方法进一步包括于该作用区(30)上执行双重牺牲氧化工艺(72)和(76)，其中各沟槽(34)的角部(35)由此四个氧化工艺而实质上形成圆角化。 | ||
| 申请公布号 | CN1610968A | 申请公布日期 | 2005.04.27 |
| 申请号 | CN02826380.4 | 申请日期 | 2002.12.11 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | 金恩顺;孙禹;木下博元;张国栋;H·K·沙奇;M·S·张 |
| 分类号 | H01L21/762;H01L21/311;H01L21/316 | 主分类号 | H01L21/762 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种在半导体制造期间执行浅槽隔离的方法，该方法可改善沟槽角部的圆角化，该方法包括下列步骤：(a)蚀刻沟槽(34)进入作用区(30)之间的硅基板(24)；(b)在该沟槽(34)上执行双重衬底氧化工艺(56)和(60)；以及(c)在该作用区(30)上执行双重牺牲氧化工艺(72)和(76)，其中该沟槽(34)的角部(35)由此四个氧化工艺的每一个而形成圆角化。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||