| 主权项 |
1.一种在半导体装置制造电容器之方法,包括下列步骤:形成下层电极于基板上;形成氮化物基第一介电薄膜层于下层电极上;藉由沈积一氧化铝(Al2O3)层,形成第二介电薄膜层于氮化物基第一介电薄膜层上;形成第三介电薄膜层于第二介电薄膜层上;及形成上层电极于第三介电薄膜层上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中氧化铝(Al2O3)层是藉由原子层沈积(ALD)制程所沈积。3.如申请专利范围第2项之方法,其中原子层沈积制程,包括下列步骤:流过(CH3)3Al气体当作来源气体及NH3气体在基板上约0.1秒至10秒;流过氮气(N2)约0.1秒至10秒以清洗未发生反应的(CH3)3Al气体;流过提供氧气源的H2O气体于基板上约0.1秒至10秒;及流过氮气(N2)约0.1秒至10秒以清洗未发生反应的H2O气体。4.如申请专利范围第3项之方法,其中ALD制程之实施是藉由将晶圆之温度保持在约200℃至500℃的范围及反应室的压力维持在约0.1托尔(Torr)至1托尔。5.如申请专利范围第3项之方法,其中氧化铝(Al2O3)层具有自约20至约100的沈积厚度。6.如申请专利范围第1项之方法,其中形成氮化物基第一介电薄膜层的步骤包括:经由熔炉加温制程加氮于下层电极表面;及使用NH3气体于加氮的下层电极上沈积一氮化物层。7.如申请专利范围第6项之方法,其中加氮于下层电极的表面及沈积氮化物骤之实施是在温度和压力保持在分别是约500℃至约800℃和约1托尔(Torr)至约30托尔(Torr)的范围内。图式简单说明:第1图为显示依习知技术在半导体装置中制造电容器之典型方法的剖面图;及第2图为显示依照本发明较佳实施例在半导体装置中制造电容器之方法的剖面图。 |
