| 主权项 |
1.一种开窗型半导体封装件,系包括:一基板,具有一上表面及一相对之下表面,并开设有至少一贯穿该上、下表面之开孔;至少一晶片,具有一作用表面及一相对之非作用表面,使该晶片之作用表面接置于该基板之上表面上并遮覆该基板之开孔的一端口,而令该作用表面之电性区外露于该开孔中;多数穿通于该开孔中之焊线,用以电性连接该晶片之电性区至该基板之下表面;一非导电性材料,敷设至该基板之开孔中及该晶片之电性区上;一上封装胶体,形成于该基板之上表面上,用以包覆该晶片;以及一下封装胶体,形成于该基板之下表面上,用以包覆该焊线及该非导电性材料。2.如申请专利范围第1项之半导体封装件,复包括:多数焊球,植接于该基板之下表面上不影响该下封装胶体之区域。3.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该非导电性材料具有低黏性。4.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该非导电性材料完全填满该基板之开孔。5.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该非导电性材料系矽胶(Silicone)。6.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该晶片之电性区形成有多数焊垫以与该焊线焊接。7.如申请专利范围第2项之半导体封装件,其中,该焊球之高度系大于该下封装胶体突出该基板下表面之厚度。8.一种开窗型半导体封装件之制法,系包括下列步骤:制备一基板,该基板具有一上表面及一相对之下表面,并开设有至少一贯穿该上、下表面之开孔;制备至少一晶片,该晶片具有一作用表面及一相对之非作用表面,使该晶片之作用表面接置于该基板之上表面上并遮覆该基板之开孔的一端口,而令该作用表面之电性区外露于该开孔中;形成多数穿通于该开孔中之焊线,藉之以电性连接该晶片之电性区至该基板之下表面;于该基板之开孔中敷设一非导电性材料至该晶片之电性区上;于该基板之下表面上形成一下封装胶体,藉之以包覆该焊线及该非导电性材料;以及于该基板之上表面上形成一上封装胶体,藉之以包覆该晶片。9.如申请专利范围第8项之制法,复包括:于该基板之下表面上植接多数焊球至不影响该下封装胶体之区域。10.如申请专利范围第8项之制法,其中,该非导电性材料具有低黏性。11.如申请专利范围第8项之制法,其中,该非导电性材料完全填满该基板之开孔。12.如申请专利范围第8项之制法,其中,该非导电性材料系矽胶。13.如申请专利范围第8项之制法,其中,该晶片之电性区形成有至少二列焊垫以与该焊线焊接。14.如申请专利范围第13项之制法,其中,该非导电性材料之敷设系使用一模板(Stencil),其接置于该基板之下表面上围绕该开孔且不会干扰该焊线之部位,该模板开设有一对应于该晶片之电性区的通孔,且该通孔之尺寸不大于该二列焊垫间之距离,以使该非导电性材料得藉该模板之通孔敷设至该基板之开孔中及该晶片之电性区上。15.如申请专利范围第14项之制法,其中,该非导电性材料系以印刷方式敷设。16.如申请专利范围第14项之制法,其中,该非导电性材料系以点胶方式敷设。17.如申请专利范围第8项之制法,其中,该上封装胶体系以模压方式制成。18.如申请专利范围第8项之制法,其中,该下封装胶体系以印刷方式制成。图式简单说明:第1图系显示本发明之半导体封装件之剖视图;第2A至2G图系显示本发明之半导体封装件之制造过程示意图,其中,第2D图系第2C图之下视图;以及第3A及3B图系分别显示一习知半导体封装件之剖视图及上视图。 |
