发明名称 可提高制造良率之记忆卡的制作方法
摘要 一种可提高制造良率之记忆卡的制作方法,其系提供一电路基板、一封装体护环、一基板护环与一下护板,并于电路基板上制作形成一封装体,装体护环设有一大于封装体的小孔以及基板护环设有一大于电路基板的大孔后,予以排列叠合,并使封装体容置于小孔中,电路基板容置于大孔中,整体同时进行热压合成一体,再经冷却;藉此,由于各构件间系于同一平整面进行压合,热压合后并进行冷却,因此压合之密合度较好,可以减少记忆卡因热压合后密合度不佳的情形发生以及不良品的产生,可提高记忆卡之整体制造良率。
申请公布号 TWI231550 申请公布日期 2005.04.21
申请号 TW092132067 申请日期 2003.11.14
申请人 林武旭 发明人 林武旭
分类号 H01L21/56 主分类号 H01L21/56
代理机构 代理人 林镒珠 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 一种可提高制造良率之记忆卡的制作方法,其包含有:(A)、提供一电路基板,并于所述电路基板上制作形成一封装体;(B)、提供一封装体护环,其中,所述封装体护环具有一大于所述封装体的小孔;(C)、提供一基板护环,其中,所述基板护环具有一大于所述电路基板的大孔;(D)、提供一平板状的下护板;(E)、将所述电路基板、所述封装体护环与所述基板护环依序对应排列叠合于所述下护板的一侧表面,其中,所述电路基板与所述封装体系分别容置于与所述大孔与所述小孔中,并于所述封装体护环、所述基板护环、所述电路基板与所述封装体间相互对应的表面上形成有一胶膜;(F)、进行整体热压合,对所述电路基板、所述封装体护环、所述基板护环与所述封装体进行整体同时热压合成一体,其中,所述基板护环与所述电路基板的其中异于所述下护板的相同一侧表面系相互平齐;以及(G)、进行热压合后之冷却。图式简单说明:第一图系本发明较佳实施例之流程示意立体图。(代表图)第二图系本发明较佳实施例之记忆卡之剖视图。第三图系本发明较佳实施例之流程图。第四图系现有的之记忆卡的制作方法之流程示意立体图。第五图系现有的记忆卡制作方法之记忆卡的剖视图。
地址 台中市东区天乙街140巷11号
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