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发明名称 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CAPACITOR USING HALF TONE MASK TO INCREASE SURFACE AREA OF LOWER ELECTRODE WITH UNDERCUT ETCHING
摘要
申请公布号 KR100486197(B1) 申请公布日期 2005.04.21
申请号 KR19970029313 申请日期 1997.06.30
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 LEE, DONG SEON;BAE, YONG GUK
分类号 H01L27/108 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人
主权项
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