首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 METHOD FOR MANUFACTURING CAPACITOR HAVING HEMISPHERICAL SILICON LAYER
摘要
申请公布号 KR100486220(B1) 申请公布日期 2005.04.21
申请号 KR19970059712 申请日期 1997.11.13
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 LEE, JAE DONG;HWANG, GI HYEON;JANG, WON JUN;HONG, GYEONG HUN
分类号 H01L27/108 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com