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Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit einer MOSFET-Struktur und einer Aktiv-Zener-Funktion, bei der am Boden eines Trenches (3, 4) zur Bildung von Zener-Dioden (Z1, Z2) eine n·+·-dotierte Zone (15) und eine p·+·-dotierte Zone (16) vorgesehen sind, wobei die n·+·-dotierte Zone mit der Gateelektrode (7, 8) in direkter Verbindung steht.
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