| 发明名称 | 具有高载子迁移率芯片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有高载子迁移率芯片的制造方法，首先在绝缘层覆硅芯片的第一硅层上磊晶第一硅锗层，此时第一硅锗层的晶格为伸张态，之后使伸张态的第一硅锗层转变成松弛态，继续于松弛态的第一硅锗层上磊晶第二硅锗层，此时第二硅锗层的晶格为松弛态，最后于第二硅锗层上磊晶第二硅层，此时第二硅层的晶格呈伸张态。本方法简单，且可以降低制造成本及制造时间。 | ||
| 申请公布号 | CN1198314C | 申请公布日期 | 2005.04.20 |
| 申请号 | CN02105020.1 | 申请日期 | 2002.02.10 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 史望澄;丁文琪 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 潘培坤;陈红 |
| 主权项 | 1.一种具有高载子迁移率芯片的制造方法，包括：提供一芯片，所述芯片为由一第一硅层、一绝缘层和一硅主体层所堆栈而成，其特征在于，所述第一硅层的晶格呈松弛态；在所述第一硅层上磊晶一第一硅锗层，所述第一硅锗层的晶格为伸张态；使伸张态的所述第一硅锗层转变成松弛态；在松弛态的所述第一硅锗层上磊晶一第二硅锗层，所述第二硅锗层的晶格为松弛态；以及在所述第二硅锗层上磊晶一第二硅层，所述第二硅层的晶格呈伸张态。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹 | ||