堆叠式栅极结构及具有该堆叠式栅极结构的场效晶体管的制造方法

摘要

本发明提供一使用于半导体元件中的堆叠式栅极结构的制造方法，其步骤包括相继于半导体基板上形成一介电层、一复晶硅层、一金属层、一WN_x层，再于氮气中进行快速回火(rapid thermal annealing)，在最上方的部分WN_x层会因此转换为一钨层，然后在钨层上形成一氮化硅层，最后将所形成的多层薄膜结构依预设图案形成栅极结构。

主权项

1.一种堆叠式栅极结构的制造方法，该制造方法包括下列步骤：(a)于半导体基板上形成一介电层；(b)于该介电层上形成一复晶硅层；(c)于该复晶硅层上形成一金属层；(d)于该金属层上形成一WNx层；(e)进行快速回火处理，使该金属层与该复晶硅层反应形成一金属硅化层，并使该WNx层的部分转换为一钨层，同时并于该金属硅化层与该钨层之间形成一阻障层；(f)依序形成该钨层、该阻障层、该金属硅化物层、该复晶硅层，成为该堆叠式栅极结构。