| 发明名称 | 采用多个介电纳米团簇的永久性存储单元及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种采用多个介电纳米团簇的永久性存储单元及其制造方法。在一实施方式中，所述永久性存储单元包括具有沟道区的半导体基底。将控制栅设置于沟道区上。在沟道区和控制栅之间设置控制栅介电层。在沟道区和控制栅介电层之间设置多个介电纳米团簇。控制栅介电层将每个纳米团簇与相邻的纳米团簇分隔。在多个介电纳米团簇和沟道区之间设置隧道氧化物层。此外，在半导体基底上形成源极和漏极。 | ||
| 申请公布号 | CN1607667A | 申请公布日期 | 2005.04.20 |
| 申请号 | CN200410092147.4 | 申请日期 | 2004.09.27 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金基喆;曹寅昱;李秉镇;金相秀;林宝丽 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L27/115;H01L21/82 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种永久性存储单元，包括：具有沟道区的半导体基底；置于所述沟道区之上的控制栅；置于所述沟道区和所述控制栅之间的控制栅介电层；置于所述沟道区和所述控制栅介电层之间的多个介电纳米团簇，每个介电纳米团簇与相邻纳米团簇由所述控制栅介电层分隔；置于所述多个介电纳米团簇和所述沟道区之间的隧道介电层；及位于所述半导体基底上并被所述沟道区分隔的源极和漏极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||