用于包含基板隔离区域上介电质侧壁侧向凹陷之非挥发性记忆体的制造方法

摘要

一非挥发性记忆体单元之一浮接闸系自两传导层(410.1、410.2)形成。基板隔离区域内一介电质(210)及用以提供该浮接闸(410.1)之该两传导层中第一传导层系形成，如此该介电质具有一裸露侧壁。至少该侧壁之顶部系裸露。然后，由该介电质侧壁的裸露区域移除部分的介电质以便侧向地凹陷该侧壁。然后，用于该浮接间之该第二传导层(410.2)系形成。该介电质之该凹陷侧壁可以让第二传导层侧向延伸，因此增加该浮接闸和控制闸间电容耦合，以及改善闸耦合比。