含有横向扩散金属氧化半导体电晶体之电子装置

摘要

本发明之LDMOS电晶体具有一阶梯式遮蔽结构及／或具有第一及第二汲极延伸区域，该第一汲极延伸区域具有高于该第二汲极延伸区域之掺杂剂浓度，且其被该遮蔽覆盖。