薄膜电晶体及其制作方法

摘要

一第一有效层系形成于一第一薄膜电晶体区域上，且包含有一通道区域、一轻掺杂区域以及一重掺杂区域。一第一闸极绝缘层系形成于该第一有效层上，且包含有一区域以及一遮蔽区域，该区域系覆盖该第一有效层之通道区域，且该遮蔽区域系覆盖该第一有效层之轻掺杂区域。一第二有效层系形成于一第二薄膜电晶体区域上，且包含有一通道区域、一轻掺杂区域以及一重掺杂区域。一第二闸极绝缘层系形成于该第二有效层上，且包含有一区域以及一遮蔽区域，该区域系覆盖该第二有效层之通道区域，且该遮蔽区域系覆盖该第二有效层之轻掺杂区域。该第一闸极绝缘层之遮蔽区域的横向长度不等于该第二闸极绝缘层之遮蔽区域的横向长度。该第一有效层之轻掺杂区域的横向长度不等于该第二有效层之轻掺杂区域的横向长度。