| 摘要 |
一种半导体装置，具有矽基底(1)、形成于矽基底(1)中的n-型井区(2)、形成于n-型井区(2)上之由p-型扩散层所构成的第一及第二源极／汲极区(8，18)、形成于位于第一源极／汲极区(8)与第二源极／汲极区(18)之间的区域之闸极绝缘体(4)、以及形成于闸极绝缘体(4)上的多晶矽(5)。此半导体装置具有用以阻绝矽化物反应的多氧层(9，19)，这些层(9，19)系形成于多晶矽(5)侧面上之矽基底(1)的最上方部分中，并且具有用以阻绝矽化物反应的多氧层(29)，此层(29)系形成于多晶矽(5)的上方部分中。 |
