发明名称 CROSS LATCH CIRCUIT USING FLASH MEMORY CELL, WHICH SUPPLIES READ VOLTAGES TO EACH FLASH CELL IN POWER VOLTAGE HIGHER THAN LOW RAMP-UP SPEED SO AS TO ACHIEVE IMPROVED STABILITY OF DATA LATCH OPERATION
摘要
申请公布号 KR100485184(B1) 申请公布日期 2005.04.14
申请号 KR19970068363 申请日期 1997.12.12
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 PARK, JAE GWAN
分类号 G11C16/06;(IPC1-7):G11C16/06 主分类号 G11C16/06
代理机构 代理人
主权项
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