能防止湿式清洁过程导致之损坏的半导体装置的制造方法

摘要

本发明公开一种半导体装置的制造方法，其能够防止层间绝缘层在湿式清洗过程期间受到损坏。具体地，该方法包含下列步骤：在基板上形成许多导电结构；然后在许多导电结构上形成蚀刻停止层和可流动绝缘层；在可流动绝缘层上形成光刻胶图案；通过使用光刻胶图案当作蚀刻掩模，蚀刻可流动绝缘层，而形成许多接触孔洞，因此会暴露出部分的蚀刻停止层；在接触孔洞上形成至少一个障壁层；移除该至少一个障壁层和位于接触孔洞的各个底部的蚀刻停止层，因此暴露出基板；及清洗接触孔洞。

主权项

1.一种半导体装置之制造方法，包含下列步骤：在基板上形成多个导电结构；然后在该多个导电结构上形成蚀刻停止层和可流动绝缘层；在可流动绝缘层上形成光刻胶图案；通过使用光刻胶图案当作蚀刻掩模，蚀刻可流动绝缘层，形成许多接触孔洞，因此会暴露出部分的蚀刻停止层；在接触孔洞上形成至少一个障壁层；移除所述至少一个障壁层和位于接触孔洞的各底部的蚀刻停止层，从而暴露出基板；及清洗接触孔洞。