发明名称 磁性记录介质
摘要 磁记录介质,以芳族聚酰胺为主成分的基膜的至少一面上直接设置的磁性层表面10nm以上的突起数N<SUB>a(10)</SUB>(个/mm<SUP>2</SUP>)、50nm以上的突起数N<SUB>a(50)</SUB>(个/mm<SUP>2</SUP>)及基膜磁性层设置侧的同一面上10nm以上突起数N<SUB>a(10)</SUB>’(个/mm<SUP>2</SUP>)满足:2×10<SUP>4</SUP>≤N<SUB>a(10)</SUB>≤2×10<SUP>7</SUP>、0≤N<SUB>a(50)</SUB>≤5×10<SUP>4</SUP>、-0.9≤(N<SUB>a(10)</SUB>-N<SUB>a(10)</SUB>’)/N<SUB>a(10)</SUB>’≤0。高刚性芳族聚酰胺膜为非磁性支持体,磁性层表面和基膜表面特性为特定、总厚薄且高记录容量、走带耐久性好、记录·读出可靠性高,可很好地适用于计算机数据记录。
申请公布号 CN1197056C 申请公布日期 2005.04.13
申请号 CN01101686.8 申请日期 2001.01.18
申请人 东丽株式会社 发明人 末冈雅则;佃明光;伊藤伸明
分类号 G11B5/62;G11B5/73;C08J5/18 主分类号 G11B5/62
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 魏金玺;杨丽琴
主权项 1.一种磁性记录介质,该磁性记录介质是在以芳香族聚酰胺作为主成分的基膜的至少一个面上直接设置磁性层的磁性记录介质,其特征在于,磁性层表面上的高度10nm以上的突起个数Na(10)(个/mm2)、高度50nm以上的突起个数Na(50)(个/mm2)及基膜的磁性层设置侧的同一表面上的高度10nm以上的突起个数Na(10)’(个/mm2)同时满足下式,2×104≤Na(10)≤2×107 0≤Na(50)≤5×104 -0.9≤(Na(10)-Na(10)’)/Na(10)’≤0。
地址 日本东京都