发明名称 沟槽深度检测方法和系统及集成电路制造方法
摘要 揭示了一种用于光学地检测晶片中的沟槽深度的方法。该方法包括:检测一多波长光的强度中的一第一最大值,该多波长光的一部分被一顶部沟槽表面反射而来:检测一多波长光的强度中的一第二最大值,该多波长光的一部分被一底部沟槽表面反射而来。该方法进一步包括确定在该第一最大值与该第二个最大值之间的一最大峰值间距,该沟槽深度对应于该最大峰值间距。该方法提供了一种强健的、节省成本的沟槽深度检测方法。
申请公布号 CN1197140C 申请公布日期 2005.04.13
申请号 CN00813644.0 申请日期 2000.09.27
申请人 拉姆研究公司 发明人 兰德尔·S·蒙特
分类号 H01L21/66;G01B11/22 主分类号 H01L21/66
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 李辉
主权项 1.一种光学地检测一沟槽深度的方法,该方法包括下列操作:检测一多波长光的强度中的一第一最大值,该多波长光的一部分被一顶部沟槽表面反射而来:检测一多波长光的强度中的一第二最大值,该多波长光的一部分被一底部沟槽表面反射而来;以及确定在该第一最大值与该第二个最大值之间的一最大峰值间距,该沟槽深度对应于该最大峰值间距,其中利用一顶部沟槽路径操作确定该第一最大值,该操作包括:检测沿着一第一顶部沟槽光路径从该顶部沟槽表面反射至一光检测器的多波长光;以及检测沿着一第二顶部沟槽光路径的多波长光,其中当该第一顶部沟槽光路径的一长度与该第二顶部沟槽光路径的一长度实质上相等时,该第一最大值即发生,其中利用一底部沟槽路径操作确定该第二最大值,该操作包括:检测沿着一第一底部沟槽光路径从该底部沟槽表面反射至该光检测器的多波长光;以及检测沿着一第二底部沟槽光路径的多波长光,其中当该第一底部沟槽光路径的一长度与该第二底部沟槽光路径的一长度实质上相等时,该第二最大值即发生。
地址 美国加利福尼亚州