| 发明名称 |
High-frequency power transistor with improved reverse-bias second breakdown characteristics |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3383571(A) |
申请公布日期 |
1968.05.14 |
| 申请号 |
US19650472796 |
申请日期 |
1965.07.19 |
| 申请人 |
RADIO CORPORATION OF AMERICA |
发明人 |
TURNER NORMAN C.;CHEN ALBERT F.;CZORNY BOHDAN R. |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L29/00;H01L29/36;H01L29/73 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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