发明名称 半导体制程参数之非侵入式量测与分析用之方法与设备
摘要 一种RF感测器,用于量测与分析电浆处理之参数。该 RF感测器具有一电浆处理工具及一天线,用于接收从电浆处理工具放射出之RF能量。该天线系位于紧临于电浆处理工具处,故为非侵入性。此外,该RF感测器可被设定成可宽带地接收从电浆处理工具放射出之RF感测器之复数谐波。此外,该RF感测器可连接至一高通滤波器及一处理器以处理接收之RF能量。再者,该天线可位于吸收器之范围内以降低RF感测器产生之干扰。此外,可连接一控制工具至处理器以依照接收之RF能量所提供之资讯来调整及维持电浆处理之各种参数。
申请公布号 TWI230996 申请公布日期 2005.04.11
申请号 TW092118067 申请日期 2003.07.02
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 理查.帕森斯
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 周良谋 新竹市东大路1段118号10楼
主权项 1.一种用于感测电浆制程参数之RF感测器,包含:一电浆处理工具,具有一电浆处理区域;及一天线,用于接收从该电浆处理工具放射出之RF能量;其中,该接收之RF能量包含一基础频率及复数谐波频率,且其中,该天线系位于该电浆处理区域之外。2.如申请专利范围第1项之用于感测电浆制程参数之RF感测器,其中尚包含:一处理器,该处理器被连接至该天线以处理从该天线接收之该RF能量。3.如申请专利范围第2项之用于感测电浆制程参数之RF感测器,其中该处理器尚包含:一滤波器,连接至该天线;一放大器,连接至该滤波器;及一资料处理装置,连接至该放大器。4.如申请专利范围第3项之用于感测电浆制程参数之RF感测器,其中该资料处理装置系可规划的以独立支援至少两个输入信号。5.如申请专利范围第3项之用于感测电浆制程参数之RF感测器,其中该滤波器系一高通滤波器。6.如申请专利范围第3项之用于感测电浆制程参数之RF感测器,其中该放大器系一低杂讯放大器。7.如申请专利范围第3项之用于感测电浆制程参数之RF感测器,其中尚包含:一使用者介面,连接至该资料处理装置;及一外部电脑,连接至该资料处理装置;其中,该使用者介面及该外部电脑系设定成容许使用者与该资料处理装置互相沟通。8.如申请专利范围第7项之用于感测电浆制程参数之RF感测器,其中该使用者介面系一触控萤幕监视器。9.如申请专利范围第3项之用于感测电浆制程参数之RF感测器,其中该资料处理装置系连接至一网路以容许使用者在远端与该资料处理装置交互沟通。10.如申请专利范围第2项之用于感测电浆制程参数之RF感测器,其中该处理器系设定成至少执行该RF能量之频谱分析及谐波成分分析其中一项。11.如申请专利范围第1项之用于感测电浆制程参数之RF感测器,其中该天线系宽带单极天线。12.一种电浆制程之参数的感测方法,包含:提供一天线,紧临于一电浆处理工具但位于电浆处理区域之外;及感测该电浆处理工具放射出之RF能量。13.如申请专利范围第12项之电浆制程之参数的感测方法,尚包含:处理该RF能量,其中该处理包含该RF能量之频谱分析及谐波成分分析至少其中一项。图式简单说明:图1系依照本发明之一实施例之RF感测器;图2系依照本发明之一实施例之天线及处理器之简化之方块图;图3系依照本发明之一实施例之天线之简化之方块图;图4系依照本发明之一实施例之电浆处理系统之简化之方块图;及图5系依照本发明之一实施例之预期之谐波资料之简图。
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