| 主权项 |
1.一种显影方法,该方法至少包括步骤:提供一晶圆于一反应空间,其中该晶圆上具有已曝光之光阻;涂布一显影液于该晶圆上;旋转该晶圆;清洗该晶圆之正面与背面;以及停止清洗该晶圆正面,且持续清洗该晶圆背面一特定时间。2.如申请专利范围第1项所述之显影方法,其中该反应空间为显影涂布机台。3.如申请专利范围第1项所述之显影方法,其中旋转该晶圆之步骤更包括步骤:增加该晶圆之旋转转速。4.如申请专利范围第1项所述之显影方法,其中旋转该晶圆之步骤进行时,同时对该反应空间抽气。5.如申请专利范围第1项所述之显影方法,其中清洗该晶圆背面系由该晶圆下方之一清洗液喷嘴进行。6.如申请专利范围第5项所述之显影方法,其中该清洗液喷嘴相对于该晶圆背面之入射角度实质上为不超过90度。7.如申请专利范围第1项所述之显影方法,其中停止清洗该晶圆正面,且持续清洗该晶圆背面之该特定时间至少为5秒。8.一种减少污染物形成于晶圆背面之方法,该方法至少包括步骤:提供一晶圆于一反应空间,其中该晶圆上具有已曝光之光阻;涂布一显影液于该晶圆上;旋转该晶圆,并对该反应空间抽气;清洗该晶圆之正面与背面;以及停止清洗该晶圆正面,且持续清洗该晶圆背面一特定时间,俾减少污染物形成于该晶圆背面。9.如申请专利范围第8项所述之减少污染物形成于晶圆背面之方法,其中该反应空间为显影涂布机台。10.如申请专利范围第8项所述之减少污染物形成于晶圆背面之方法,其中旋转该晶圆之步骤更包括步骤:增加该晶圆之旋转转速。11.如申请专利范围第8项所述之减少污染物形成于晶圆背面之方法,其中旋转该晶圆之步骤进行时,同时对该反应空间抽气。12.如申请专利范围第8项所述之减少污染物形成于晶圆背面之方法,其中清洗该晶圆背面系由该晶圆下方之一清洗液喷嘴进行。13.如申请专利范围第12项所述之减少污染物形成于晶圆背面之方法,其中该清洗液喷嘴相对于该晶圆背面之入射角度实质上为不超过90度。14.如申请专利范围第8项所述之减少污染物形成于晶圆背面之方法,其中停止清洗该晶圆正面,且持续清洗该晶圆背面之该特定时间至少为5秒。15.一种显影方法,其系应用于一显影涂布机台上,该显影涂布机台包括一旋转吸盘、一清洗液喷嘴与一凹槽,该显影方法至少包括步骤:提供一晶圆并使其承载于该显影涂布机台之该旋转吸盘上,其中该晶圆上具有已曝光之光阻;涂覆一显影液于该晶圆上;旋转该晶圆,并对该显影涂布机台抽气,以于该晶圆与该显影涂布机台之该凹槽处外形成一水墙;清洗该晶圆之正面,并藉由该清洗液喷嘴清洗该晶圆之背面;以及停止清洗该晶圆正面,且持续清洗该晶圆背面一特定时间,以将流至该晶圆背面之污染物清除。16.如申请专利范围第15项所述之显影方法,其中旋转该晶圆之步骤更包括步骤:增加该晶圆之旋转转速。17.如申请专利范围第15项所述之显影方法,其中该清洗液喷嘴相对于该晶圆背面之入射角度实质上为不超过90度。18.如申请专利范围第15项所述之显影方法,其中持续清洗该晶圆背面之该特定时间至少为5秒。图式简单说明:第一图:其系为传统显影涂布机台之结构示意图。第二图:其系显示本案较佳实施例之显影方法流程图。第三图:其系显示本案另一较佳实施例之显影方法流程图。第四图:其系显示显影涂布机台于进行抽气时所形成之气流流向。 |
