| 主权项 |
1.一种金属基体阳极处理方法,包括以下步骤: (1)阳极处理(Anodizing),在金属基体表面形成氧化膜; (2)去除部分氧化膜; (3)进行二次阳极处理; (4)重复(2)~(3)步骤。 2.如申请专利范围第1项所述之金属基体阳极处理 方法,其系采用镭射雕刻法去除部分氧化膜。 3.如申请专利范围第1项所述之金属基体阳极处理 方法,其系采用蚀刻法去除部分氧化膜。 4.如申请专利范围第1项所述之金属基体阳极处理 方法,其中二次阳极处理与首次阳极处理不相同。 5.如申请专利范围第2或3项所述之金属基体阳极处 理方法,其中于阳极处理前首先用硷性溶液清洗该 金属基体表面。 6.如申请专利范围第3项所述之金属基体阳极处理 方法,其中蚀刻前首先在金属基体之局部印刷耐酸 油墨。 7.如申请专利范围第5项所述之金属基体阳极处理 方法,其中该阳极处理电压在10~50V之间。 8.如申请专利范围第7项所述之金属基体阳极处理 方法,其中该阳极处理电流密度在10~50mA/cm2之间。 9.一种金属壳体,包括: 金属基体; 对所述金属基体阳极处理,于金属基体表面形成氧 化膜,去除部分氧化膜,进行二次阳极处理,在所述 金属基体表面形成的高低起伏之立体氧化图案层 。 10.如申请专利范围第9项所述之金属壳体,其中该 金属基体为一种铝合金。 11.如申请专利范围第9项所述之金属壳体,其中该 金属基体为一种钛合金。 12.如申请专利范围第9项所述之金属壳体,其中该 金属基体材料为铝。 |
