| 主权项 |
1.一种微射流装置,包括: 一基板,其具有形成于其中的一微射流通道;及 一多孔性薄膜,其系置放于该微射流通道中以形成 一半渗透阻障,该阻障系在该微射流通道之一输入 与输出区段之间,并具有复数个孔隙以选择性过滤 可引入该微射流通道之该输入区段的一流入射流, 从而在该微射流通道之该输出区段产生一过滤流 出射流。 2.如申请专利范围第1项之微射流装置,进一步包括 一流入储藏库,该储藏库系形成于该基板中,该基 板系在射流中与该微射流通道之该输入区段通信 。 3.如申请专利范围第1项之微射流装置,进一步包括 一流出储藏库,该储藏库系形成于该基板中,该基 板系在射流中与该微射流通道之该输出区段通信 。 4.如申请专利范围第1项之微射流装置,其中该多孔 性薄膜系与该基板整合形成。 5.如申请专利范围第1项之微射流装置,进一步包括 一盖子,该盖子系置放于该微射流通道之至少一部 分上。 6.如申请专利范围第1项之微射流装置,其中该多孔 性薄膜具有复数个孔隙,该等孔隙具有一中等直径 在约50埃至约10微米之范围内。 7.一种微射流装置,包括: 一基板平台,其包括: 一上基板构件,其具有形成于其中的一上微射流通 道; 一下基板构件,其具有形成于其中的一下微射流通 道;及 一多孔性薄膜,其系置放于该上微射流通道及下微 射流通道之端部之间,该多孔性薄膜包括一半渗透 阻障,该阻障具有复数个孔隙以选择性过滤引入该 上微射流通道的一流入射流,从而在该下微射流通 道中产生一过滤流出射流。 8.如申请专利范围第7项之微射流装置,其中该多孔 性薄膜包括多孔性奈米结晶矽。 9.如申请专利范围第7项之微射流装置,其中该多孔 性薄膜包括多孔性多晶矽。 10.如申请专利范围第7项之微射流装置,其中该多 孔性薄膜具有一中等厚度在约10奈米至约50微米之 范围内。 11.如申请专利范围第7项之微射流装置,其中该多 孔性薄膜具有复数个孔隙,该等孔隙具有一中等直 径在约50埃至约10微米之范围内。 12.如申请专利范围第7项之微射流装置,其中该基 板包括一聚二甲基矽氧烷基板。 13.如申请专利范围第7项之微射流装置,进一步包 括至少一个别储藏库,该储藏库系形成于该平台基 板中,该基板系在射流中与该等上及下微射流通道 之至少一个通信。 14.一种微射流装置,包括: 一基板,其具有形成于其中的一微射流通道;及 复数个多孔性矽薄膜,该等薄膜系置放于该通道内 ,其定义复数个通道区段,每个多孔性矽薄膜形成 一半渗透阻障,该阻障系在该多孔性薄膜之相对侧 的个别通道区段之间并具有复数个孔隙,该阻障经 由该等孔隙选择性过滤可提供在一多孔性矽薄膜 之一输入侧的一流入射流,从而在该多孔性矽薄膜 之一输出侧产生一过滤流出射流。 15.如申请专利范围第14项之微射流装置,其中该等 复数个多孔性薄膜之每个系与该基板整合形成。 16.如申请专利范围第14项之微射流装置,进一步包 括一盖子,该盖子系置放于该微射流通道之至少一 部分上。 17.如申请专利范围第14项之微射流装置,其中该微 射流通道在组态方面实质上为盘曲通道。 18.如申请专利范围第14项之微射流装置,其中该等 复数个多孔性薄膜系连续沿一流动路径经由该微 射流通道而配置,以便沿该流动路径遇到的每个后 来多孔性薄膜具有比先前多孔性薄膜小的标称孔 隙大小。 19.如申请专利范围第14项之微射流装置,其中该等 复数个多孔性薄膜具有一实质上类似的标称孔隙 大小。 20.一种微射流装置,包括: 一基板平台,其中形成复数个级联微射流通道,包 括上及下微射流通道之个别对;及 复数个多孔性薄膜,每个系置放于上及下微射流通 道之一个别对的端部,并包括一半渗透阻障,该阻 障具有复数个孔隙以选择性过滤可引入其输入侧 之一上微射流通道的一流入射流,从而在其输出侧 之该下微射流通道中产生一过滤流出射流。 21.如申请专利范围第20项之微射流装置,其中该基 板平台包括复数个基板层,每个基板层具有形成于 其中的一上微射流通道及一下微射通道之至少一 个。 22.如申请专利范围第20项之微射流装置,其中该基 板平台包括一上及下基板构件,该等构件系在装配 件上夹在该等复数个多孔性基板周围。 23.如申请专利范围第20项之微射流装置,进一步包 括复数个储藏库,该等储藏库系沿穿过该等复数个 级联微射流通道的一流动路径而置放。 24.一种微射流装置,包括: 一基板,其具有形成于其中的微射流通道;及 一多孔性薄膜,其系置放于该微射通道内并与该基 板旋转式耦合,以便当该多孔性薄膜系旋转至一过 滤位置时其操作为一半渗透阻障,该阻障具有复数 个孔隙以选择性过滤可引入该多孔性薄膜之一输 入侧的该微射流通道之一流入射流,从而在该多孔 性薄膜之一输出侧产生一过滤流出射流,并且当该 多孔性薄膜系旋转至一通过位置时,流经该微射流 通道的射流系致动以自由旁通该多孔性薄膜。 25.如申请专利范围第24项之微射流装置,其中该多 孔性薄膜系与该基板经由一第一微电机系统(MEMS) 驱动器而旋转式耦合。 26.如申请专利范围第24项之微射流装置,进一步包 括一盖子,该盖子系与该基板耦合并系置放于该微 射流通道之至少一部分上。 27.如申请专利范围第24项之微射流装置,进一步包 括一第二MEMS驱动器,用以将该多孔性薄膜锁定在 该过滤位置。 28.一种用以制造一微射流装置的方法,包括: 形成一微射流通道于一矽基板中,该基板包括复数 个由一或多个矽间隙分离的通道区段;及 蚀刻该等一或多个矽间隙,以形成一或多个对应多 孔性薄膜,该等薄膜系置放于该等通道区段之间的 该微射流通道中。 29.如申请专利范围第28项之方法,其中该等一或多 个多孔性薄膜包括复数个多孔性薄膜,其分别具有 沿该微射流通道之一流动路径的减小孔隙率。 30.如申请专利范围第28项之方法,其中该等一或多 个矽间隙系采用电化学蚀刻或染色蚀刻而蚀刻。 图式简单说明: 图1a至1e显示依据本发明之一项具体实施例的一微 射流装置之各图,其中一单一多孔性矽薄膜系整合 形成于一基板中; 图2a至2e显示使用一堆叠通道式组态的一微射流装 置之一具体实施例的各图,其中一多孔性薄膜系置 放于一上及下微射流通道之端部之间; 图3a至3e显示一微射流装置之一具体实施例的各图 ,其中复数个整合多孔性矽薄膜系置放于沿微射流 通道之各点; 图4a至4d显示具有一级联堆叠通道式组态的一微射 流装置之一具体实施例的各图,其中该平台基板包 括复数个基板层; 图5a至5e显示具有一级联堆叠通道式组态的一微射 流装置之一具体实施例的各图,其中该平台基板包 括上及下基板构件; 图6a至6f显示一微射流通道之各断面图,其中一MEMS 铰链驱动器系用以旋转在一通过位置至一过滤位 置的一多孔性矽薄膜; 图7为一流程图,解说依据本发明之一项具体实施 例而实行的操作,以在一微射流通道内形成整合多 孔性矽薄膜; 图8为一流程图,其解说可用以制造依据本发明之 一项具体实施例的一多孔性薄膜之操作;以及 参考图9a至9f解说对应一操作的各种处理相位,该 操作用以依据本发明之一项具体实施例制造图6a 至6f之该MEMS铰链驱动器及多孔性矽薄膜。 |
