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发明名称
Method of fabricating a MOS transistor using a total gate silicidation process
摘要
申请公布号
KR100481185(B1)
申请公布日期
2005.04.07
申请号
KR20030046983
申请日期
2003.07.10
申请人
发明人
分类号
H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8238;H01L29/49;(IPC1-7):H01L21/336
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
主权项
地址
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