| 发明名称 | 用于小型电磁继电器的由内部氧化的氧化银材料制成的具有高导电性的电接点 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于小型电磁继电器的由内部氧化的氧化银材料制成的具有高导电性的电接点，所述电接点的制备是通过对基本上由如下成分组成的银合金：以重量计5.1－9％Sn，1.5－5％In和0.005－0.06％Bi以及由Ag和不可避免杂质组成的平衡组分，进行内部氧化处理，然后进行热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长；其中所述内部氧化的氧化银材料具有能使复合氧化物粗晶粒分散并分布于银基体内的金相结构，所述形成的复合氧化物粗晶粒为锡基氧化物超细晶粒和铟基氧化物超细晶粒粗化的结果，其经内部氧化处理沉积，并经热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长。 | ||
| 申请公布号 | CN1603443A | 申请公布日期 | 2005.04.06 |
| 申请号 | CN200410076655.3 | 申请日期 | 2004.08.06 |
| 申请人 | 三菱综合材料C.M.I.株式会社 | 发明人 | 植村雄三;上田公志郎;村桥纪昭;山梨真嗣;泷道雄;远藤裕康 |
| 分类号 | C22C5/06;C22C32/00;H01H1/02 | 主分类号 | C22C5/06 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 韦欣华;段晓玲 |
| 主权项 | 1.一种用于小型电磁继电器的由内部氧化的氧化银材料制成的具有高导电性的电接点，所述电接点的制备是通过对基本上由如下成分组成的银合金：以重量计5.1-9％Sn，1.5-5％In和0.005-0.06％Bi以及由Ag和不可避免杂质组成的平衡组分，进行内部氧化处理，然后进行热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长；其中所述内部氧化的氧化银材料具有能使复合氧化物粗晶粒分散并分布于银基体内的金相结构，所述形成的复合氧化物粗晶粒为锡基氧化物超细晶粒和铟基氧化物超细晶粒粗化的结果，其经内部氧化处理沉积，并经热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长。 | ||
| 地址 | 日本静冈县 | ||