| 发明名称 | 光学均匀的氧化锆薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种光学均匀的氧化锆薄膜的制备方法的关键是：采用物理真空电子枪蒸发沉积方式；选取低能量、高束流的霍尔型辅助离子源；基底不施加烘烤；沉积时，所述霍尔型辅助离子源的离子的具体参数根据薄膜所需的折射率和薄膜不结晶而确定。本发明所制备的氧化锆薄膜具备常温沉积的非晶优点和离子辅助技术的高射率、高附着力的优点，薄膜光学均匀。 | ||
| 申请公布号 | CN1603863A | 申请公布日期 | 2005.04.06 |
| 申请号 | CN200410067901.9 | 申请日期 | 2004.11.05 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 张大伟;邵建达;范正修;王英剑;黄建兵;张东平;尚淑珍 |
| 分类号 | G02B1/12;G02B1/10 | 主分类号 | G02B1/12 |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1、一种光学均匀的氧化锆薄膜的制备方法，其特征在于该方法的关键是：采用物理真空电子枪蒸发沉积方式；选取低能量、高束流的霍尔型辅助离子源；基底不施加烘烤；沉积时，所述霍尔型辅助离子源的离子的具体参数根据薄膜所需的折射率和薄膜不结晶而确定。 | ||
| 地址 | 201800上海市800－211邮政信箱 | ||