硅基导电材料及其制造方法

摘要

在室温下，其电阻率为10^-3(Ω.m)或者更低并且是基于半导体硅的硅基导电材料，而且还能够进行生产并且进行处理，这在以前是不能实现的。通过在硅中添加量相对较多的各种元素，可以获得电阻率为10^-6(Ω.m)或者更低的导电材料，这个电阻率对导体来说是很普通的。通过离子束注入技术和成形技术，可以以一种所需图案在一种半导体硅衬底上形成导电材料。其形状不仅可以是一种衬底状，一种棒状，或者一种线状，而且还可以是分布在一种树脂或者玻璃中的、很细的颗粒形状，它可以用于很多需要导电的应用中，包括需要一种导电片材料的应用中。

主权项

1.一种硅基导电材料，由一种半导体晶粒相和分散在材料中的一种金属或者半金属导体晶界相组成，其中所述硅包含含量至少为0.1原子％和不高于20原子％的至少一种其它元素，并且其电阻率ρ不大于1×10-5Ω.m。