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发明名称
半导体装置及其制造方法
摘要
本发明系旨在:提供一种防止在半导体工序的接合或者检查中的探测时,由于施加在衬垫电极上的应力而使在衬垫电极的下层的绝缘膜产生裂痕的半导体器件。半导体器件,包含:在形成在矽基板101上的绝缘膜(113)上形成的第1衬垫(116)、在第1衬垫(116)上形成的绝缘膜(117)、在绝缘膜(117)上形成的第2衬垫(121)、以及在第1衬垫(116)和第2衬垫(121)之间的绝缘膜(117)中形成的网状介质窗(network via)(119)。网状介质窗(119)系一个连续的结构体。
申请公布号
TW200512857
申请公布日期
2005.04.01
申请号
TW093129046
申请日期
2004.09.24
申请人
松下电器产业股份有限公司
发明人
桥本伸;三村忠昭
分类号
H01L21/60
主分类号
H01L21/60
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
日本
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