| 摘要 |
〔课题〕提供将条状结构的相对位置(即，发光点相对位置)，形成大致一定状态的单石半导体雷射及其制造方法。〔解决手段〕本发明的单石半导体雷射系具有发光波长互异之复数半导体雷射的单石半导体雷射，乃包括：半导体基板；形成于半导体基板上的第1区域中，且由上下利用第1覆盖层包夹第1主动层的第1双异质结构；以及形成于半导体基板上的第2区域中，且由上下利用第2覆盖层包夹第2主动层的第2双异质结构。第1与第2主动层系由互异的半导体材料所构成。而且，第1主动层上下的第1覆盖层系由大致相同的半导体材料所构成，且第2主动层上下的第2覆盖层系由大致相同的半导体材料所构成。 |
