发明名称 具受控分支性之聚合物、制备聚合物分散液之方法及彼等于黏着剂之用途
摘要 本发明系关于一种具受控分支性之聚合物组份,该受控分支性系自预聚物与链增长剂之反应产物所形成,该预聚物本身系自非自缔合异氧酸酯组份,分子量为每莫耳约1500至6000克之二醇组份(以该预聚物总重为基准计,其存在量大于约50重量%),及形成离子之化合物之反应产物形成,其中该链增长剂包括含胺化合物,且该含胺化合物之存在量足以在该预聚物形成后,与至少约99%该存在之异氰酸根基团反应,其中该聚合物之受控分支性包括至少一种以下各物:具有羟基官能度大于2.0,且分子量约700至2000之羟基官能性组份;或具有超过两个羟基之低分子量组份。本发明亦包括制备及使用此种分散体组合物之方法。
申请公布号 TWI230166 申请公布日期 2005.04.01
申请号 TW090123367 申请日期 2001.09.21
申请人 氰特科技股份有限公司 发明人 艾林那 寇比蓝斯卡;大卫M. 康库斯;大卫A. 里伊
分类号 C08G18/00 主分类号 C08G18/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种具有受控分支性之聚合物,其系由以下之反应产物所形成:自非自缔合异氰酸酯组份,分子量1500至6000克/莫耳之二醇组份(且以该预聚物总重为基准计,其存在量大于50重量%),及形成离子化合物之混合物之反应产物形成之预聚物;然后使该预聚物与链增长剂反应,其中该链增长剂包含一种含二胺化合物,且其存在量在已形成该预聚物后,足以与至少99%之该存在的异氰酸根基团反应,其中该聚合物之受控分支性包含至少一种以下组份具羟基官能度大于2.0,且分子量700至2000之羟基官能性组份;或具超过两个羟基之低分子量组份。2.根据申请专利范围第1项之聚合物,其尚实质上不含未受控分支性。3.根据申请专利范围第1项之聚合物,其中该非自缔合异氰酸酯组份包含TMXDI(间-四甲基伸二甲苯基二异氰酸酯,Cytec Industries之商标)。4.根据申请专利范围第1项之聚合物,其中该形成离子化合物包含至少一个羧基酸基团。5.根据申请专利范围第4项之聚合物,以该聚合物总重为基准计,其羧酸酯含量占可形成离子部份之该化合物重量之1%至10%。6.根据申请专利范围第1项之聚合物,其中以该预聚物总重为基准计,该羟基官能性组份之含量为4至10重量%。7.根据申请专利范围第1项之聚合物,其中以该预聚物总重为基准计,该低分子量组份之含量为0.1至3.5重量%。8.根据申请专利范围第1项之聚合物,其中该聚合物之热活性化温度小于90℃。9.根据申请专利范围第1项之聚合物,其抗热温度大于80℃。10.一种可以将两种基片黏结在一起之黏着剂,其含根据申请专利范围第1项之聚合物。11.一种制备聚合物分散液之方法,其系藉:使非自缔合异氰酸酯组份,分子量1500至6000克/莫耳且以该预聚物总重为基准计,其存在量大于50重量%之二醇组份,及形成离子化合物之混合物进行反应以形成聚胺基甲酸酯预聚物;中和该预聚物上之形成离子部份;并以含胺化合物使该预聚物之链增长以形成该聚合物组份,其中在已形成该预聚物后,该含胺组份之存在量足以与至少99%之该存在的异氰酸根基团反应,其中该聚合物之受控分支性含至少一种具羟基官能度大于2.0,且分子量700至2000之羟基官能性组份;或一种具超过两个羟基之低分子量组份。12.根据申请专利范围第11项之方法,其尚实质上不含未受控分支性。13.根据申请专利范围第11项之方法,其中该非自缔合异氰酸酯组份含TMXDI(间-四甲基伸二甲苯基二异氰酸酯,Cytec Industries之商标)。14.根据申请专利范围第11项之方法,其中该形成离子化合物含至少一种羧酸基团。15.根据申请专利范围第14项之方法,以该聚合物总重为基准计,其羧酸酯含量占可形成离子部份之该化合物重量之1%至10%。16.根据申请专利范围第11项之方法,其中以该预聚物总重为基准计,该羟基官能性组份之含量为4至10重量%。17.根据申请专利范围第11项之方法,其中以该预聚物总重为基准计,该低分子量组份之含量为0.1至3.5重量%。18.根据申请专利范围第11项之方法,其中该聚合物之热活性化温度小于90℃。19.根据申请专利范围第11项之方法,其抗热温度大于80℃。20.一种可以将两种基片黏结在一起之黏着剂,其含经由根据申请专利范围第11项之方法制成之聚合物分散液。
地址 美国