| 主权项 |
1.一种黏接系统,包含一处理单元,系用以处理第一与第二基底的表面;一操作单元,系覆盖在该处理所处理的第一与第二基底上面;及一内室,可容纳该处理单元及操作单元且与其隔开一外部空间,其中藉由该处理单元对于第一与第二基底所进行的处理包括清洁及/或活性化第一与第二基底的表面之处理。2.如申请专利范围第1项之黏接系统,进一步包含一过滤器,其中该内室的内部是藉由该过滤器所清洁的。3.如申请专利范围第1项之黏接系统,进一步包含一装载机,系连接至该内室,该装载机包括一净化该内室中的气体之机构。4.如申请专利范围第1项之黏接系统,进一步包含一机构,可使该内室中的压力增加而大于该内室外部的压力。5.如申请专利范围第1项之黏接系统,其中藉由该处理单元对于第一与第二基底所进行的处理包括将第一与第二基底表面上的湿气移除到一预定程度之处理。6.如申请专利范围第1项之黏接系统,其中藉由该处理单元对于第一与第二基底所进行的处理包括将第一与第二基底表面上的湿气移除到一预定程度之处理,且之后将表面上的湿气设定至一预定程度,致使能增加第一与第二基底的黏接强度。7.如申请专利范围第1项之黏接系统,其中该处理单元包含一机构,可移除在第一与第二基底表面上的颗粒。8.如申请专利范围第1项之黏接系统,其中该处理单元包含一机构,可移除在第一与第二基底表面上的有机物质。9.如申请专利范围第1项之黏接系统,其中该处理单元包含一机构,可将第一与第二基底的表面活性化状态设定至一预定状态。10.如申请专利范围第9项之黏接系统,其中该处理单元包含一机构,可将第一与第二基底的表面活性化,致使能增加第一与第二基底的黏接强度。11.一种黏接系统,包含:一操作单元,系覆盖于第一与第二基底上面;一内室,可容纳该操作单元且与该操作单元隔开一外部空间;及一湿气维持单元,可维持该内室中的湿气到大致上固定的程度。12.一种黏接系统,包含:一测量单元,系用以测量第一与第二基底的表面状态;一处理单元,系用以根据该测量单元的测量结果而处理第一与第二基底之表面;一操作单元,系覆盖在该处理所处理的第一与第二基底上面;及一内室,可容纳该测量单元、处理单元及操作单元,且与之隔离一外部空间,其中藉由该处理单元对于第一与第二基底所进行的处理包括清洁第一与第二基底的表面之处理。13.如申请专利范围第12项之黏接系统,进一步包含一判断单元,可检查出该测量单元的测量结果是否位于一预定范围内,其中当该判断单元判断出测量结果并非位于预定范围内时,则执行该处理单元所进行之处理。14.如申请专利范围第12项之黏接系统,进一步包含一过滤器,其中该内室的内部是藉由该过滤器所清洁的。15.如申请专利范围第12项之黏接系统,进一步包含一装载机,系连接至该内室,该装载机包括一净化该内室中的气体之机构。16.如申请专利范围第12项之黏接系统,进一步包含一机构,可使该内室中的压力增加而大于该内室外部的压力。17.如申请专利范围第12项之黏接系统,其中该处理单元包含一机构,可移除在第一与第二基底表面上的颗粒。18.如申请专利范围第12项之黏接系统,其中该处理单元包含一机构,可移除在第一与第二基底表面上的有机物质。19.如申请专利范围第12项之黏接系统,其中该处理单元包含一机构,可将第一与第二基底的表面活性化,致使能增加第一与第二基底的黏接强度。20.如申请专利范围第12项之黏接系统,其中藉由该处理单元对于第一与第二基底所进行的处理包括将第一与第二基底表面上的湿气移除到一预定程度之处理,致使能增加第一与第二基底的黏接强度。21.如申请专利范围第12项之黏接系统,进一步包含一湿气维持单元,可维持该内室中的湿气到大致上固定的程度。22.一种半导体基底制造方法,包含以下步骤:在一基底上形成一多孔层;在该多孔层上形成一欲转移层;使用如申请专利范围第1项之黏接系统将该基底与另一基底黏接起来,藉以制造一黏接基底堆叠;及将该黏接基底堆叠于该多孔层的部位分离。图式简单说明:图1A到1E是概略图形,用以概略说明根据本发明一较佳实施例的SOI基底制造方法;图2是一图形,用以说明本发明第一较佳实施例之黏接系统的操作;图3是一放大图,用以显示一装载机内之结构;图4是一活性化单元的结构之概略图;图5A及5B是一黏接单元的结构之概略图;图6是一图形,显示在基底表面上的颗粒之数目;图7是一图形,用以说明根据本发明第二较佳实施例的黏接系统之操作;及图8是一图形,显示在基底表面上的颗粒之数目。 |
