| 主权项 |
1.一有机电致发光装置,包括第一与第二基板,其系彼此相隔对立;一有机电致发光二极体,其系位于第二基板的一内面;一闸极线,其系沿着一第一相向位于第一基板的一内面;一资料线,其系沿着一穿越第一方向的第二方向;一电力线,其系与资料线相隔并沿着第二方向形成,其系由与闸极线相同材料制成,其与闸极线相交部份具有一电力连结线;一交换薄膜电晶体,其系位于闸极线与资料线相交部份,其包含一由无晶矽构成的第一半导体层;一驱动薄膜电晶体,其系位于交换薄膜电晶体与电力线相交部份,其包含一由无晶矽构成的第二半导体层;一连接电极,其系连接于驱动薄膜电晶体且以与资料线相同材料制成的;一电气连接图案,其系相对于连接电极且用于电气上连接该连接电极至有机电致发光二极体;其中,交换薄膜电晶体与驱动薄膜电晶体进一步各别包含第一与第二闸极绝缘层,第一闸极绝缘层与第一半导体层有相同形状,第二闸极绝缘层与第二半导体层有相同形状。2.如申请专利范围第1项的装置,进一步包含一闸极台、一资料台、以及一电力台,分别布置于闸极线、资料线、与电力线的一端。3.如申请专利范围第2项的装置,进一步包含一位于闸极台的闸极台电极与一位于电力台的电力台电极,其中闸极台电极与电力台电极系以与资料线相同材料制成。4.如申请专利范围第3项的装置,进一步包含一位于闸极台与闸极台电极之间的第一图案,以及一位于电力台与电力台电极之间的第二图案。5.如申请专利范围第4项的装置,其中第一与第二图案各包含有一绝缘层与一半导体材料层。6.如申请专利范围第5项的装置,其中第一图案具有一暴露出闸极台的闸极台接触孔,第二图案具有一暴露出电力台的电力台接触孔。7.如申请专利范围第3项的装置,进一步包含在闸极台电极与电力台电极上的一钝化层,其中钝化层具有第一、第二、第三、与第四开孔,分别暴露出连接电极、资料台,闸极台电极、与电力台电极。8.如申请专利范围第1项的装置,其中交换薄膜电晶体进一步包含一第一闸极电极、一第一源极电极、一第一汲极电极、与一第一半导体层,第一闸极电极系延伸自闸极线,第一半导体层系形成在第一闸极电极上,并具有一由无晶矽制成的活性层与一由有杂质掺杂的无晶矽制成的欧姆接触层,第一源极与汲极电极系形成在第一半导体层上并彼此相隔。9.如申请专利范围第8项的装置,其中驱动薄膜电晶体进一步包含一第二闸极电极、一第二源极电极、一第二汲极电极、与一第二半导体层,第二闸极电极系连接于第一汲极电极,第二半导体层系形成在第二闸极电极上,并具有一由无晶矽制成的活性层与一由有杂质掺杂的无晶矽制成的欧姆接触层,第二源极与汲极电极系形成在第二半导体层上并彼此相隔。10.如申请专利范围第9项的装置,其中连接电极系延伸自第二汲极电极。11.如申请专利范围第9项的装置,进一步包含一电源电极,其系延伸自电力线并连接于第二源极电极。12.如申请专利范围第1项的装置,其中电力连结线系以与资料线相同材料以及同一过程中形成。13.一种有机电致发光装置制造一阵列基板的方法,此阵列基板包含有一在一第一基板上的阵列元件,以及在一第二基板上的一有机电致发光二极体,此方法包含:形成一闸极电极、一闸极台、一电源电极与一电力台,其系藉由沈积一第一金属材料在一基板上,再以一第一遮罩过程对此第一金属加以图案所形成;形成一闸极绝缘层、一半导体层、一半导体材料图案、一第一图案与一第二图案,其系藉由沈积一第一绝缘材料、无晶矽、以及有掺杂的无晶矽,在包含有闸极电极、闸极台、电源电极、与电力台的基板上,再以一第二遮罩过程对此第一绝缘材料、无晶矽、以及有掺杂的无晶矽加以图案所形成,其中,半导体层系布置于闸极电极上并包含有无晶矽与有掺杂的无晶矽,半导体材料图案系延伸自半导体层并有一暴露电源电极的电源电极接触孔,第一图案有一暴露闸极台的闸极台接触孔;第二图案有一暴露电力台的电力台接触孔;形成一电气连接图案,其系藉由沈积一第二绝缘材料在半导体层、半导体材料图案、第一图案与第二图案上,再以一第三遮罩过程对此第二绝缘材料加以图案所形成,此电气连接图案具有一圆柱形状并与有机电致发光二极体相对;形成一源极电极、一汲极电极、一连接电极、一资料台、一闸极台电极、以及电力台电极,其系藉由沈积一第二金属材料于包含有电气连接图案的基板上,再以一第四遮罩过程对此第二金属材料加以图案所形成;其中,源极与汲极电极系形成在半导体层上并彼此相隔,源极电极系透过电源电极接触孔与电源电极连接,连接电极系延伸自汲极电极并覆盖电气连接图案,闸极台电极系透过闸极台接触孔与闸极台连接,电力台电极系透过电力台接触孔与电力台连接,其中闸极电极、半导体层、源极电极、以及汲极电极共同形成一薄膜电晶体;形成一具有第一、第二、第三、与第四开孔的钝化层,其系藉由沈积一第三绝缘材料于包含有源极电极、汲极电极、连接电极、资料台、闸极台电极、与电力台电极的基板上,再以一第五遮罩过程将此第三绝缘材料加以图案所形成;其中,第一开孔暴露出连接电极,第二开口暴露出资料台,第三开口暴露出闸极台电极,而第四开口暴露出电力台电极。14.如申请专利范围第13项的方法,其中闸极绝缘层具有与半导体层相同的形状。15.如申请专利范围第13项的方法,进一步包含使用源极与汲极电极作为一蚀刻遮罩,有选择地将半导体层加以图案以形成一由无晶矽制成的活性层与一由有掺杂的无晶矽制成的欧姆接触层。16.如申请专利范围第13项的方法,其中第一遮罩过程包含形成一闸极线与一电力线,第四遮罩过程包含一步骤形成一资料线与一电力连结线,闸极线系连接于闸极电极,电力线系穿越闸极线并连接于电力台与电源电极,资料线系与电力线相隔平行,电力连结线系连接于电力线与电力台电极。17.如申请专利范围第13项的方法,其中薄膜电晶体系一驱动薄膜电晶体,其电气上连接于有机电致发光二极体。图式简单说明:第1图系一依据习知技术的主动矩阵式有机电致发光装置中一像素的电路图。第2图系一依据习知技术的主动矩阵式有机电致发光装置中一像素的平面图。第3图系沿着第2图中Ⅲ-Ⅲ'线的横截面图。第4A到4I图系沿着第2图III-III'线的横截面图,以展示习知技术制造主动矩阵式有机电致发光装置的程序。第5图系一依据习知技术的有机致电发光装置的横截面图。第6图系一依据本发明具体实施的双面板式有机电致发光装置的横截面图。第7图系一依据本发明具体实施的双面板式有机电致发光装置的平面图。第8A至8E图系沿着第7图VIII-VIII'线的横截面图,其系展示,依据本发明一具体实施的双面板式有机电致发光装置,其阵列基板的制造过程。第9A至9E图系沿着第7图IX-IX'线的横截面图,其系展示,依据本发明一具体实施的双面板式有机电致发光装置,其阵列基板的制造过程。第10A至10E图系沿着第7图X-X'线的横截面图,其系展示,依据本发明一具体实施的双面板式有机电致发光装置,其阵列基板的制造过程。第11A至11E图系沿着第7图XI-XI'线的横截面图,其系展示,依据本发明一具体实施的双面板式有机电致发光装置,其阵列基板的制造过程。 |
