半导体晶圆乾式蚀刻用电极

摘要

本发明所揭示者为一半导体晶圆之乾式蚀刻用电极。该电极系一成对出现之电极组，包括有一第一电极与一第二电极，其中该第一电极含有一第一扁平部及一大小相当于一半导体晶圆之周缘一表面之环状第一凸缘，而该第二电极则含有一第二扁平部及一大小相当于该半导体晶圆之周缘另一表面之环状第二凸缘，又，该第一扁平部与第二扁平部大小相当，且该第一凸缘与第二凸缘大小也相当。

主权项

1.一种半导体晶圆乾式蚀刻用电极,包括有利用电浆从该半导体晶圆周缘移除异物之第一与第二电极,其中该第一电极含有一第一扁平部与一相当半导体晶圆周缘一表面之环状第一凸缘,而该第二电极则含有一第二扁平部与一相当半导体晶圆周缘另一表面之环状第二凸缘,其中该第一凸缘与第二凸缘的尺寸相同。2.如申请专利范围第1项所述之电极,其中该第一电极上表面以该第一凸缘为界之内部区域系沉积形成一层绝缘材料或贴设一绝缘层。图式简单说明:第1图系本发明半导体晶圆乾式蚀刻用电极之部分断面图;第2图显示采用本发明半导体晶圆乾式蚀刻用电极时一半导体晶圆之上表面与侧面之蚀刻状态;第3图显示采用本发明半导体晶圆乾式蚀刻用电极时一半导体晶圆之下表面与侧面之蚀刻状态;第4图系一设有本发明电极之乾式蚀刻装置断面图;第5图系一表面沉积多个层次之半导体晶圆侧视图;第6图显示因设备运转导致半导体晶圆表面沉积异物之现象;第7a至7e图系显示利用传统湿式蚀刻法以移除一氮化物层之过程变化断面图;第8a至8e图系显示利用传统乾式蚀刻法以移除一聚矽化物层之过程变化断面图;及第9图系利用传统电极以蚀刻半导体晶圆之示意图。