| 主权项 |
1.一种氮化物磊晶层结构,其包括:一基板,系作为基材者;一第一中介层,系于该基材上堆叠适当厚度的高温氮化铝铟镓(Al1-x-y GaxInyN)材质所形成,其x≧0,y≧0,1≧x+y≧0;一第二中介层,系于该第一中介层上堆叠适当厚度,且再结晶的低温氮化铝铟镓(Al1-x-yGaxInyN)材质所形成;以及一氮化物磊晶层,系于该第二中介层上堆叠氮化物磊晶层材质所形成。2.如申请专利范围第1项所述氮化物磊晶层之制作方法,其中,该第一中介层之厚度为5~20埃()。3.如申请专利范围第1项所述氮化物磊晶层之制作方法,其中,该第二中介层之厚度为5~500埃()。4.一种氮化物磊晶层之制作方法,其步骤包括:(a)透过磊晶技术,使用适当的高温,于该基板上形成高温之氮化铝铟镓(Al1-x-yGaxInyN),其x≧0,y≧0,1≧x+y≧0,且厚度适当之第一中介层;(b)透过磊晶技术,使用适当的低温,于该第一中介层上形成低温之氮化铝铟镓(Al1-x-yGaxInyN),且厚度适当之第二中介层,使得第二中介层形成结构松散且非结晶状(amorphous)的晶格排列;(c)透过提高温度,以针对该第二中介层进行再结晶(recrystallize),使得其晶格形成有秩序的排列;(d)透过磊晶技术,使用适当的温度,于该第二中介层上形成高温之氮化物磊晶层。5.如申请专利范围第4项所述氮化物磊晶层之制作方法,其中,该第一中介层之成长温度为900~1100℃。6.如申请专利范围第4项所述氮化物磊晶层之制作方法,其中,该第一中介层之厚度为5~20埃()。7.如申请专利范围第4项所述氮化物磊晶层之制作方法,其中,该第二中介层之成长温度为200~900℃。8.如申请专利范围第4项所述氮化物磊晶层之制作方法,其中,该第二中介层之厚度为5~500埃()。9.如申请专利范围第4项所述氮化物磊晶层之制作方法,其中,该氮化物磊晶层之成长温度为500~1100℃。图式简单说明:第一图所显示为本发明之氮化物磊晶层结构的一种较佳实施例。第二图所显示为第一图之氮化物磊晶层结构的具体实施步骤流程图。 |
