| 发明名称 | 编码型及数据型内嵌式闪存结构的制造方法及其操作方法 | ||
| 摘要 | 一种编码型及数据型内嵌式闪存结构的制造方法。首先提供一基底。接着，形成复数条位线于该基底上，并于该些位线上形成复数个隔离结构。电荷陷入层形成于该些隔离结构之间。复数条字符线形成于该些隔离结构与该电荷陷入层上，该些字符线与该些位线呈现交叉状态，以形成一闪存结构。最后，依实际需求，将闪存结构分割成数据型存储单元区域与编码型存储单元区域。 | ||
| 申请公布号 | CN1427466A | 申请公布日期 | 2003.07.02 |
| 申请号 | CN01144505.X | 申请日期 | 2001.12.18 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 郭东政 |
| 分类号 | H01L21/82;H01L21/8246 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.编码型及数据型内嵌式闪存结构的制造方法，其特征为：包括：提供一基底；形成复数条位线于该基底上；形成复数个隔离结构于该些位线上；形成一电荷陷入层于该些隔离结构之间；形成复数条字符线于该些隔离结构与该电荷陷入层上，以形成一闪存结构；以及将该闪存结构区分为一数据型存储单元区域与一编码型存储单元区域。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||