| 主权项 |
1.一种用以决定涡流感应器(ECS, eddy current sensor)信 号可归因于基板之成份的方法,包括: 放置基板于相对于ECS与ECS距第一个距离之第一个 位置,基板包括于基板第一个表面上之导电膜; 以第一个位置中的基板侦测第一个ECS信号; 将基板相对于ECS倒转使得基板于相对于ECS与ECS距 第二个距离之第二个位置,第二个距离等于第一个 距离减去约基板厚度; 以第二个位置中的基板侦测第二个ECS信号; 决定差异信号等于在ECS的校正图上第一个信号程 度及第二个信号程度之间的差异,第二个讯号程度 偏移约等于基板厚度之距离;及 计算第一个ECS信号之第一个基板成份等于第一个 距离及差异信号的乘积,除以基板厚度。 2.如申请专利范围第1项之用以决定ECS信号可归因 于基板之成份的方法,其中导电膜具有厚度约10及 约20,000埃之间。 3.如申请专利范围第1项之用以决定ECS信号可归因 于基板之成份的方法,其中导电膜为膜残余物。 4.如申请专利范围第1项之用以决定ECS信号可归因 于基板之成份的方法,其中将ECS与第一个位置及第 二个位置中两者的第一点对齐,第一点在基板的第 一个表面上。 5.如申请专利范围第1项之用以决定ECS信号可归因 于基板之成份的方法,其中将导电膜并列于基板及 第一个位置中的ECS之间。 6.如申请专利范围第1项之用以决定ECS信号可归因 于基板之成份的方法,其中倒转基板包括移动ECS。 7.如申请专利范围第1项之用以决定ECS信号可归因 于基板之成份的方法,其中倒转基板包括移动基板 。 8.如申请专利范围第1项之用以决定ECS信号可归因 于基板之成份的方法,其中倒转基板包括调整基板 相等于约导电膜厚度之量。 9.如申请专利范围第1项之用以决定ECS信号可归因 于基板之成份的方法,进一步包括计算第二个ECS信 号之第二个基板成份等于第二个距离及差异信号 的乘积,除以基板厚度。 10.如申请专利范围第1项之用以决定ECS信号可归因 于基板之成份的方法,进一步包括: 计算第一个ECS信号可归因于导电膜之成份等于第 一个ECS信号及第一个ECS信号的第一个基板成份之 间的差异。 11.如申请专利范围第10项之用以决定ECS信号可归 因于基板之成份的方法,进一步包括决定导电膜厚 度。 12.一种基板之电阻率的映射方法,包括: 决定可归因于基板之涡流感应器(ECS)信号之成份 相对于基板表面上的第一点,包括: 放置基板于相对于ECS与ECS距第一个距离之第一个 位置,基板包括于基板第一个表面上之导电膜; 以第一个位置中的基板侦侧第一个ECS信号; 将基板相对于ECS倒转使得基板于相对于ECS与ECS距 第二个距离之第二个位置,第二个距离等于第一个 距离减去约基板厚度; 以第二个位置中的基板侦测第二个ECS信号; 决定差异信号等于在ECS的校正图上第一个信号程 度及第二个信号程度之间的差异,第二个讯号程度 偏移约等于基板厚度之距离;及 计算第一个ECS信号之第一个基板成份等于第一个 距离及差异信号的乘积,除以基板厚度; 决定可归因于基板之ECS信号之成份相对于基板表 面上的第二点; 对第一点计算第一个电阻率; 对第二点计算第二个电阻率;及 由第一点及第二点的电阻率推断电阻率曲线。 13.一种用以决定涡流感应器(ECS)信号可归因于基 板之成份的系统,包括: 朝向基板的ECS,基板于相对于ECS与ECS距第一个距离 之第一个位置,基板包括于基板第一个表面上之导 电膜; 基板倒转器,能够倒转基板相对于ECS使得基板于相 对于ECS于与ECS距第二个距离之第二个位置,第二个 距离等于第一个距离减去约基板厚度; 控制系统,连接至ECS,控制系统包括: 逻辑,以第一个位置中的基板侦测第一个ECS信号; 逻辑,以第二个位置中的基板侦测第二个ECS信号; 逻辑,决定差异信号等于在ECS的校正图上第一个信 号程度及第二个信号程度之间的差异,第二个讯号 程度偏移约等于基板厚度之距离;及 逻辑,计算第一个ECS信号之第一个基板成份等于第 一个距离及差异信号的乘积,除以基板厚度。 14.如申请专利范围第13项之用以决定ECS信号可归 因于基板之成份的系统,进一步包括支撑基板于第 一个位置及第二个位置中的平台。 15.如申请专利范围第14项之用以决定ECS信号可归 因于基板之成份的系统,其中平台为可调整以补偿 导电膜之厚度。 16.如申请专利范围第13项之用以决定ECS信号可归 因于基板之成份的系统,其中基板倒转器包括可倒 转基板的末端受动器。 17.如申请专利范围第13项之用以决定ECS信号可归 因于基板之成份的系统,其中基板倒转器包括移动 ECS的促动器。 18.如申请专利范围第13项之用以决定ECS信号可归 因于基板之成份的系统,其中ECS包括第一个ECS及第 二个ECS且其中基板为于第一个位置相对于第一个 ECS及基板于第二个位置相对于第二个ECS,及其中将 第一个ECS及第二个ECS大体上对齐。 19.如申请专利范围第18项之用以决定ECS信号可归 因于基板之成份的系统,其中第一个距离大体上相 等于第二个距离。 20.如申请专利范围第18项之用以决定ECS信号可归 因于基板之成份的系统,其中将第一个ECS及第二个 ECS于约180度反相操作。 图式简单说明: 图1显示一典型ECS。 图2A及2B显示根据本发明的一个实施例测量导电膜 中引发的涡流之系统。 图3为决定由于涡流引发入基板的ECS信号成分之方 法操作之流程图。 图4显示根据本发明的一个实施例ECS的敏感度与距 离比较之曲线图。 图5为根据本发明的一个实施例决定由于涡流引发 入基板的ECS信号成分之另一系统。 图6为根据本发明的一个实施例映射基板的电阻率 之方法操作之流程图。 图7A为根据本发明的一个实施例无校正基板贡献 之ECS信号数据之曲线图。 图7B为根据本发明的一个实施例但有将基板贡献 校正或补偿之相同ECS信号数据之曲线图。 |
