| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于：提供一种防止在半导体工序中的接合或者检查时的探测时，由于施加在衬垫电极上的应力而在衬垫电极的下层的绝缘膜产生裂纹的半导体器件。半导体器件，包括：在形成在硅衬底101上的绝缘膜(113)上形成的第1衬垫(116)、在第1衬垫(116)上形成的绝缘膜(117)、在绝缘膜(117)上形成的第2衬垫(121)、以及在第1衬垫(116)和第2衬垫(121)之间的绝缘膜(117)中形成的网状连接孔(119)。网状连接孔(119)为一个连续的结构体。 | ||
| 申请公布号 | CN1601735A | 申请公布日期 | 2005.03.30 |
| 申请号 | CN200410082604.1 | 申请日期 | 2004.09.21 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 桥本伸;三村忠昭 |
| 分类号 | H01L23/48;H01L21/60 | 主分类号 | H01L23/48 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，其特征在于：包括：形成在半导体衬底上的第1绝缘膜、形成在第1绝缘膜上的第1金属图案、形成在所述第1金属图案上的第2绝缘膜、形成在所述第2绝缘膜上的第2金属图案、以及形成在所述第2绝缘膜中且连接所述第1金属图案和所述第2金属图案的第3金属图案；所述第3金属图案、为一个连续的结构体；构成所述第3金属图案的金属结晶方向主轴、与所述半导体衬底的主面平行。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||