发明名称 | 过电流保护元件 | ||
摘要 | 本发明揭示一种过电流保护元件,其包含一第一电极层、一第二电极层及一叠设于该第一及第二电极层之间之高分子电流感测层。该高分子电流感测层包含重量百分比介于2%至4%之复数个矽酸盐片,其系一种奈米材料,厚度约为1nm,而直径则介于100至500nm之间。 | ||
申请公布号 | TWI229966 | 申请公布日期 | 2005.03.21 |
申请号 | TW092123619 | 申请日期 | 2003.08.27 |
申请人 | 聚鼎科技股份有限公司 | 发明人 | 马云晋;蔡东成 |
分类号 | H02H9/02 | 主分类号 | H02H9/02 |
代理机构 | 代理人 | 王仲 台北市松山区敦化北路201号7楼 | |
主权项 | 1.一种过电流保护元件,包含:一第一电极层;一第二电极层;及一高分子电流感测层,叠设于该第一及第二电极层之间,其包含重量百分比介于2%至4%之矽酸盐片,该矽酸盐片之厚度介于0.7至1.3 nm,且直径介于100至500nm之间。2.如申请专利范围第1项之过电流保护元件,其中该矽酸盐片系结合成粉末状。3.如申请专利范围第1项之过电流保护元件,其中该矽酸盐片之比重约为1.8 g/cm3。4.如申请专利范围第1项之过电流保护元件,其中该高分子电流感测层另包含重量百分比介于36%至40%之聚乙烯。5.如申请专利范围第1项之过电流保护元件,其中该高分子电流感测层另包含重量百分比介于24%至29%之碳黑。6.如申请专利范围第1项之过电流保护元件,其中该高分子电流感测层另包含重量百分比介于20%至24%之氢氧化镁。7.如申请专利范围第1项之过电流保护元件,其中该高分子电流感测层另包含重量百分比介于10%至13%之滑石。图式简单说明:图1系本发明之过电流保护元件之示意图。 | ||
地址 | 新竹市科学工业园区展业二路2号2楼 |