| 主权项 |
1.一种高发光效率之发光二极体结构,其主要结构系包括:一发光二极体晶片,其包含有:一基板;一半导体层,该半导体层系接于该基板上部,具有一N型半导体层、一发光层及一P型半导体层,其中,该发光层介于该N型半导体层与该P型半导体层之间;一正电极衬垫位于该P型半导体层之上;以及一负电极衬垫位于该N型半导体层之上;一透明承载物,其系位于该发光二极体之下方,且使用透光性之一黏接层与其相连接;一第一金属支架,透过一第一导线与该正电极衬垫相连接;一第二金属支架,透过一第二导线与该负电极衬垫相连接;以及一封装层,以将该发光二极体晶片与该透明承载物予以封装;其中,该透明承载物之下方并未透过该封装层予以封装,该发光层之光线路径系为透过该透明承载物,以将光线透射出去。2.如申请专利范围第1项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该基板系为一蓝宝石(Saphhire)基板。3.如申请专利范围第1项所述之高发光效率发光二极体结构,其中该基板系为一氮化镓基板。4.如申请专利范围第1项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该基板系为一碳化矽(SiC)。5.如申请专利范围第1项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该基板系为一氮化铝(AlN)。6.如申请专利范围第1项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该基板系为一玻璃(Glass)。7.如申请专利范围第1项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该基板是系为一磷化镓(GaP)。8.如申请专利范围第1项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该基板是系为一磷砷化镓(GaAsP)。9.如申请专利范围第1项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该基板系为一硒化锌(ZnSe)。10.如申请专利范围第1项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该基板系为一硫化锌(ZnS)。11.如申请专利范围第1项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该基板系为一硒化锌硫(ZnSSe)。12.如申请专利范围第1项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该基板是磷化硼(BxPy)。13.如申请专利范围第1项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该基板是氟化钙(CaF2)。14.如申请专利范围第1项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该P型半导体层之上方系包含一反射层。15.如申请专利范围第14项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该反射层其系包含铝。16.如申请专利范围第14项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该反射层其系包含金。17.如申请专利范围第14项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该反射层其系包含银。18.如申请专利范围第14项之高发光效率之发光二极体结构,其中该反射层系可为金属、氮化物、氧化物、氟化物所组成之群组之其中之一者或其任意组合。19.如申请专利范围第1项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该透明承载物其系包含玻璃。20.如申请专利范围第1项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该透明承载物其系包含蓝宝石(Saphhire)。21.如申请专利范围第1项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该透明承载物其系包含镁铝尖晶石。22.如申请专利范围第1项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该透明承载物其系包含环氧树脂。23.如申请专利范围第1项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该透明承载物其系包含矽胶(Silicone)。24.如申请专利范围第1项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该透明承载物其系包含聚醯胺。25.如申请专利范围第1项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该基板是矽胶(Silicone)。26.如申请专利范围第1项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该透光性之黏接层系包含有环氧树脂。27.如申请专利范围第1项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该透光性之黏接层系包含有聚醯胺。28.如申请专利范围第1项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该透光性之黏接层系包含有矽胶(Silicone)。29.如申请专利范围第1项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该透光性之黏接层系包含有BCB(B-staged bisbenzocyclobutene;BCB)树脂。30.如申请专利范围第1项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该封装层系包含有银胶。31.如申请专利范围第1项所述之高发光效率之发光二极体结构,其中该封装层系包含有白胶。图式简单说明:第一图:其系为习知技术之发光二极体结构示意图;第二图:其系为本发明之一较佳实施例之发光二极体结构示意图;第三图:其系为本发明另一较佳实施例发光二极体之结构示意图;以及第三A图:其系为本发明之另一较佳实施例之透明承载物之光线路径之示意图。 |
