发明名称 | 垂直电晶体之闸极氧化层厚度的量测方式及量测装置 | ||
摘要 | 一种垂直电晶体之闸极氧化层厚度之量测装置,包括一第一主动区,设置于一基板上,具有一至少2F之既定宽度;一第一至第五字元线,沿一第一方向,设置于基板中,每两条字元线间具有一最小线宽F,并且第一至第五字元线之第一端系电性连接在一起;一第一、第二沟槽电容器,分别设置于第二及第四字元线之下方,上述第一、第二沟槽电容器之长度系大于上述第一主动区之既定宽度,且第一、第二沟槽电容器间具有一3F之既定间隔;一第一、第二闸极结构,分别设置于第一沟槽电容器与第二字元线之间及第二沟槽电容器与第四字元线之间,各包括一闸极导电层与一闸极氧化层,其中闸极导电层系与其上之字元线电性连接。 | ||
申请公布号 | TW200511459 | 申请公布日期 | 2005.03.16 |
申请号 | TW092124186 | 申请日期 | 2003.09.02 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 林裕章;张明成 |
分类号 | H01L21/66 | 主分类号 | H01L21/66 |
代理机构 | 代理人 | 洪澄文;颜锦顺 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |