制作互补式薄膜电晶体的方法

摘要

本发明系提供一种制作互补式薄膜电晶体的方法，首先于一基板表面形成未完成源极与汲极掺杂之一第一薄膜电晶体与一第二薄膜电晶体，接着将一第一导电型式之掺质掺杂于该第一薄膜电晶体内，以形成该第一薄膜电晶体之源极与汲极，然后进行一高压回火制程，以修补该第一薄膜电晶体与该第二薄膜电晶体之晶格缺陷，最后将一第二导电型式之掺质掺杂于该第二薄膜电晶体内，以形成该第二薄膜电晶体之源极与汲极。