制造半导体记忆体位元线接触结构之方法

摘要

一种制造半导体记忆体位元线接触结构之方法。该制造半导体记忆体位元线接触结构之方法包含步骤系提供半导体基底；于该半导体基底表面形成多个闸极；施加第一绝缘层以覆盖该半导体基底表面及多个闸极；于该多个闸极处选择性形成多个闸极接触窗；于该第一绝缘层中选择性形成位元线接触窗，与该半导体基底连接；以及于该多个闸极接触窗及位元线接触窗中填入导电层。