高度均匀氧化层,特别是超薄层之控制生长

摘要

本发明系关于制备具有高水平均匀度氧化层、较佳为超薄层之方法。一种该方法包括下列步骤：在一半导体基板之一半导体表面上直接或间接地形成一实质上饱和或饱和之氧化层，且蚀刻减少该实质上饱和或饱和之氧化层的一定量厚度使得该经蚀刻之氧化层具有小于该实质上饱和或饱和之氧化层的厚度。在特定实施例中，本发明之方法提供均匀性小于约＋／–10％的经蚀刻之氧化层。本发明亦系关于包括藉由本发明之方法制得之微电子装置的微电子装置及用于进行本发明之方法的制造系统。