多层结构之制造方法

摘要

本发明系关于一种由数种半导体材料所构成之多层结构之制造方法，该结构包含一由一第一半导体材料所构成之基板(20)以及一由一第二半导体材料所构成之外表薄层，两种半导体材料具有实质上不同的晶格参数，其特征为该方法包含下述步骤：在一支撑基板(100)上产生包含该外表薄层之一层(110)；在藉由该支撑基板与该沈积层而形成之总体(10)中建立一脆化区；使该总体与一目标基板(20)接合；于这个脆化区之阶层脱离；及处理所产生之结构之表面。