| 摘要 |
藉由使用一种两步骤式RTP(快速热处理)制程来备制晶圆，该制程藉由控制位于该晶圆表面区上的细粒径(fine)氧沈积物及OiSF(Oxidation Induced Stacking Fault；氧化引致叠差)，而得以确保该晶圆具有一理想半导体装置区域。藉由执行本发明揭示之两步骤式快速热处理制程，就可精确控制缺陷分布，并且可形成一理想装置主动区直达离该晶圆表面一定距离。此外，还能够藉由使该晶圆一内部区域(即，体型区域)中深度方向的氧沈淀物及体型叠差具有恒定密度，最大化体内吸着(internal gettering；IG)效率。为了在该体型区域中获得恒定浓度分布(concentration profile)的氧沈淀物及体型叠差，会在一预先决定混合气体环境中将该晶圆经过前面提及之两步骤式快速热处理制程。 |
