改善高压元件结构的制造方法

摘要

本发明系揭露一种改善高压元件结构的制造方法，其系可顺利整合于使用浅沟渠隔离结构之深次微米制程中。本发明系在汲极与半导体基底之间形成多重较深且较淡的掺杂区域，包括N-型漂移区域及N型掺杂井区，使汲极区域与半导体基底之间的掺质浓度依序递减。本发明利用汲极浓度大于N型掺杂井区浓度大于漂移区域浓度的递减掺杂浓度，以藉此降低其接合面的电场强度，并增加崩溃电压，且亦同时改善高压电晶体之驱动电流。