一种体硅MOS晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供了一种体硅MOS晶体管结构及其制作方法。该体硅MOS晶体管，包括一栅电极，一栅介质层，一对栅电极侧墙介质层，一半导体体区，一源区和一漏区；栅电极位于栅介质层之上；栅介质位于半导体体区之上；半导体体区在栅电极两端的部分分别与源区和漏区相连；晶体管的源漏区的下方各有一绝缘层，绝缘层在结构上与栅电极是自对准的。在制备工艺上，绝缘层是通过填充栅电极两侧的硅槽形成，硅槽是通过自对准腐蚀栅电极两侧的体硅形成，源区和漏区是通过外延或CVD方法形成。本发明的MOS晶体管结构集SOI器件和体硅器件的优点于一体，同时消除或大大改善了SOI器件和体硅器件的主要缺点。

主权项

1.一种体硅MOS晶体管，包括一栅电极，一栅介质层，一对栅电极侧墙介质层，一半导体体区，一源区和一漏区；所述栅电极位于栅介质层之上；所述栅介质位于半导体体区之上；所述半导体体区在栅电极两端的部分分别与所述源区和漏区相连，其特征在于，所述晶体管的源漏区的下方各有一绝缘层，所述绝缘层在结构上与所述栅电极是自对准的。